关于 UV LED 杀菌:还有多少人犯低级错误认识

2017-10-12  来自: 济南安巨环保设备有限公司 浏览次数:196

 随着由白光LED固态照明引发的第三次照明革命的火热进行,人们逐渐将研究重心转向以高Al组分Ⅲ族氮化物为结构材料的紫外LED。紫外LED在医疗、杀菌、印刷、照明、数据存储、以及保密通信等方面都有重大应用价值。并且与汞灯和疝灯等传统气体紫外光源相比,UV LED具有强大的优势。

  紫外光源的诞生使得紫外线开始得到真正地应用。气体放电光源是深紫外LED诞生前传统紫外光源的主要形式。气体放电光源的光谱辐射范围覆盖紫外区域,效率最高为60%,寿命为100-1000小时。

  气体放电光源内部主要充的是氩气和汞蒸汽。按照汞蒸汽在灯管内的压力高低将汞灯分为低压、高压和超高压汞灯。根据使用电极的不同低压汞灯又可分为热阴极低压汞灯和冷阴极低压汞灯。热阴极汞灯是弧光放电灯,采用三元盐氧化物作阴极。冷热阴极汞灯属于辉光放电灯,采用纯金属作阴极。

  UVLED(紫外LED)的组成:由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN量子阱组成,形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例,发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和量子阱层,但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源量子阱层是GaN,与之相对是InGaN或AlGaN合金,则器件发射的光谱范围为350~370nm。

  当蓝色InGaN发光二极管泵处短的电子脉冲时,则产生紫外线辐射。含铝的氮化物,特别是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波长的器件,获得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管已经商业化,基于氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研制成功,250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。

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